알루미늄 산화아연 스퍼터링 타겟

알루미늄 산화아연 스퍼터링 타겟 투명 도전막의 발달로 ITO를 대체할 수 있는 AZO(Al2O3-ZnO) 타겟이 널리 사용되고 있습니다. AZO 투명 전도성 필름은 밴드 갭이 3.4eV이고 고유 흡수 한계가 360nm로 박막 배터리의{6}창층 재료로 사용할 수 있습니다. 넓은 밴드 갭 기능은 p, n{7}}형 도핑 영역에 의한 빛의 흡수를 줄이고 빛 에너지의 활용률을 향상시킬 수 있습니다. 동시에 AZO 투명 전도성 필름은 저항이 낮고 가시광선 투과율이 높아 우수한 전면 투명층 재료입니다. 동시에 AZO는 높은 플라즈마 안정성, 쉬운 준비 기술, 무독성 및 무해한 원료의 특성을 가지고 있어 박막 태양 전지 분야에서 AZO가 더 널리 사용됩니다.

알루미늄 산화아연 스퍼터링 타겟 그림:

Aluminum Zinc Oxide Sputtering Targets

AZO Sputtering Target

우리 회사는 고객에게 {0}순도, 고밀도{1}} 균일하게 구성된 AZO 타겟과 AZO 타겟 및 백플레인의 바인딩 서비스를 제공할 수 있습니다.

유형	상품명	공식	청정	녹는 점	밀도(g/cc)	사용 가능한 모양
산화물	알루미늄 산화물	Al2O3	4N	2045	4	타겟, 입자
	비스무트(III) 산화물	Bi2O3	4N	820	8.9	타겟, 입자
	크롬(III) 산화물	Cr2O3	4N	2435	5.2	타겟, 입자
	에르븀 산화물	Er2O3	4N	2378	8.64	타겟, 입자
	하프늄 산화물	HfO2	4N	2812	9.7	타겟, 입자
	인듐 주석 산화물	이토	4N	1565	7.6	표적
	산화마그네슘	MgO	4N	2800	3.58	타겟, 입자
	오산화니오븀	Nb2O5	4N	1530	4.47	타겟, 입자
	네오디뮴(III) 산화물	Nd2O3	4N	2272	7.2	타겟, 입자
	산화니켈	NiO	4N	1990	7.45	타겟, 입자
	스칸듐 산화물	Sc2O3	4N	2480	3.86	타겟, 입자
	실리콘 산화물	SiO	4N	1702	2.13	타겟, 입자
	이산화규소	SiO2	4N	1610	2.2	대상, 입자, 수정
	사마륨(III) 산화물	Sm2O3	4N	2350	7.4	타겟, 입자
	오산화탄탈륨	타2O5	4N	1800	8.7	타겟, 입자
	이산화티타늄	TiO2	4N	1800	4.29	타겟, 입자
	티타늄(V) 산화물	Ti3O5	4N	1750	4.57	타겟, 입자
	바나듐(V) 산화물	V2O5	4N	690	3.36	타겟, 입자
	이트륨(III) 산화물	Y2O3	4N	2680	4.8	타겟, 입자
	산화 아연	ZnO	4N	1975	5.6	타겟, 입자
	알루미늄{0}도핑된 산화아연	아조	4N	\	5.4	표적
	이산화지르코늄	ZrO2	4N	2700	5.5	타겟, 입자
불화	불화바륨	BaF2	4N	1280	4.8	타겟, 입자
	불화칼슘	CaF2	4N	1360	3.13	타겟, 입자
	세륨 불화물	CeF3	4N	1418	6.16	타겟, 입자
	불화칼륨	KF	4N	880	2.48	타겟, 입자
	란탄(III) 불화물	LaF3	4N	1490	6	타겟, 입자
	불화마그네슘	MgF2	4N	1266	4.2	타겟, 입자
	불화나트륨	나프	4N	988	2.79	타겟, 입자
기타	바륨 티타네이트	BaTiO3	4N	1620	3.96	타겟, 입자
	스트론튬 티타네이트	SrTiO3	4N	2080	5.12	타겟, 입자
	아연 황화물	ZnS	4N	1830	4.1	타겟, 입자
	질화규소	Si3N4	4N	승화	3.44	타겟, 입자
	질화티타늄	주석	4N	2950	5.43	타겟, 입자
	알루미늄 질화물	알엔	4N	승화	3.26	타겟, 입자
	질화붕소	비엔	4N	3000	2.25	타겟, 입자
	실리콘 카바이드	SiC	4N	2700	3.22	표적

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