텅스텐 이온 주입 구성 요소 설명

이온 주입은 고에너지 이온을 사용하여 재료의 물리적, 화학적 특성을 변경하는 프로세스입니다. 도핑 농도와 깊이 분포를 정밀하게 제어할 수 있습니다. 이러한 재료에 이온을 주입하면 전기적, 광학적, 기계적 특성이 크게 바뀔 수 있으므로 중요한 반도체 응용 분야가 됩니다. 이상적인 선택. 텅스텐 이온 주입 부품은 이온 주입기의 음극 재료로 자주 사용됩니다. 그들은 높은 융점, 높은 경도, 우수한 전도성, 강한 내식성, 고온 저항, 우수한 화학적 안정성, 우수한 가공 성능, 고순도 및 긴 서비스 수명을 가지고 있습니다. 특징. 텅스텐 이온 주입 부품은 이온 주입의 안정성과 정확성을 보장할 수 있으며 트랜지스터, 집적 회로, 마이크로 전자 장치, 태양 전지 등과 같은 다양한 반도체 장치를 제조하는 데 사용할 수 있습니다.

텅스텐 이온 주입 구성 요소 사양:

등급	W1,W2,WMo
기술	압연, 단조, 평탄화, 어닐링, 가공
녹는 점	3410도
청정	95% 이상
크기와 모양	그림에 따르면
최대 외경	800mm
밀도	19.3g/cm2³
표면	연마, 화학 세척, 분체 코팅 등
기준	ASTM B777, DIN, GB, ISO, JIS
인증	ISO9001